美撤銷韓廠、台積電南京廠授權 學者：回敬中共閱兵等不友善訊號

台積電證實接獲美方通知，中國南京廠的「驗證後最終用途」(VEU)授權將於今年12月31日撤銷，經濟部強調此舉非衝著台積電而來，且衝擊有限。學者則認為美方在中共「九三閱兵」前夕釋出此訊息，是以加嚴科技管制回敬「閱兵」傳遞的不友善訊號，且此舉對台積電衝擊相當可控，受創較多的反而是同樣遭撤銷授權的SK海力士及三星等韓廠。

台積電2日晚間證實接獲美方通知，中國南京廠的「驗證後最終用途」(VEU)授權將於今年12月31日撤銷，引發關注。經濟部表示，這會對南京廠未來營運可預期性造成影響；不過，因美方近期也宣布取消三星、SK海力士等韓廠的VEU，評估此舉應非針對台積電或特定廠商。

台經院產經資料庫總監劉佩真3日受訪時分析，因正值中共「九三閱兵」之際，美方此舉應是針對中國藉閱兵大典串聯多國所傳遞的不友善訊號，以科技管制回擊。她說：『(原音)中國進行閱兵，協同其他像是在印度、俄羅斯，等同在這些以中國為主的國家資本市場，形成全球南方新勢力的崛起；再加上先前美、中雙方談判架構建立在晶片換關鍵礦產原則之下，兩方還是有所保留，所以中國還是有釋出比較不友善的訊號之下，美方也採取在科技方面持續施壓。』

經濟部評估，台積電南京廠受影響的相關產能只佔公司整體產能約3%，未來還可能持續降低，且其佔整體台灣半導體生產比例更低，應不會影響台灣整體產業競爭力。

劉佩真則說明，台積電南京廠以12、16奈米製程為主，雖仍處於獲利階段，但對公司總營收、總獲利貢獻度相當低，僅有個位數，影響相對可控。她認為受到衝擊較大的反而是三星、SK海力士等韓廠，因為這兩家韓系業者在中國生產DRAM(動態隨機存取記憶體)、NAND Flash(快閃記憶體)產能比重相對較高。

劉佩真強調，在美中科技戰框架下，美國任何一個措施都可能波及相關供應鏈，尤其是台、韓業者，甚至未來包括日本、美系業者也恐難倖免，而後續美方的232晶片關稅、相關科技管制措施，都將成為市場矚目的焦點。(編輯：陳士廉)