Un equipo de científicos del Departamento de Física de la Universidad Nacional de Taiwán (NTU), bajo la dirección de la catedrática Chiu Ya-Ping (邱雅萍) y apoyado por el Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología (NSTC), ha desarrollado una revolucionaria técnica de inspección microscópica que analiza semiconductores mediante barrido de sección transversal in situ. Esta tecnología, cuyo descubrimiento ha sido difundido por la revista científica Nature, consigue registrar directamente el comportamiento de transmisión de los electrones en transistores bidimensionales mientras se encuentran operativos. El logro supone un cambio de paradigma respecto al método tradicional, que dependía de simulaciones teóricas estimadas.

El potencial de este método radica en su capacidad para medir a nivel atómico la longitud de transferencia de los electrones en la interfaz de unión entre metales y semiconductores. Estos datos reales proporcionan el fundamento experimental necesario para probar la viabilidad del desarrollo de nanochips de nueva generación, facilitando la transición tecnológica hacia la era post-Ley de Moore. Asimismo, la herramienta reduce drásticamente los plazos y los costes de desarrollo industrial, ya que simplifica la comparación de materiales y ya ha demostrado su eficacia en tecnologías de silicio sobre aislante (SOI).

La investigación, concebida como un esfuerzo de cooperación internacional con la participación de la Universidad Normal Nacional de Taiwán y la Universidad Nacional de Singapur, sitúa a la isla a la vanguardia de la innovación y la autosuficiencia tecnológica. Según los portavoces del NSTC, la creación de este método de medición ratifica el liderazgo tecnológico de Taiwán en el sector estratégico de los semiconductores de potencia y sienta un precedente científico clave que facilitará el avance de los procesos de manufactura subnanométrica en futuras colaboraciones con la industria privada.