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L'avenir des semi-conducteurs au-delà du Silicium

Une équipe taïwanaise met au point un transistor à base de disulfure de molybdène monocouche (MoS₂) qui résout un problème clé d’interface (illustration fournie par la commission nationale des sciences)
Une équipe taïwanaise met au point un transistor à base de disulfure de molybdène monocouche (MoS₂) qui résout un problème clé d’interface (illustration fournie par la commission nationale des sciences)

Une équipe de chercheurs taïwanais de l’Université nationale Yang Ming Chiao Tung a franchi un obstacle majeur au développement des semi-conducteurs bidimensionnels (2D), ouvrant la porte au développement potentiel de la prochaine génération de puces électroniques.

Une avancée majeure et prometteuse qui marque une rupture technologique importante pour pallier les limites physiques du silicium, entrant ainsi dans l'ère de
l'après-loi de Moore.

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