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三星電子工會預告最快21日起發動罷工,分析師指出,三星聚焦生產HBM(高頻寬記憶體),但若罷工時間拉長,影響可能外溢至傳統記憶體,進一步牽動全球市場供給。
三星電子勞資雙方自去年12月起,針對2026年集體勞動協議展開協商,但績效獎金標準看法始終分歧,三星工會日前更預告,若協商仍無進展,將自21日起發動為期18天的罷工行動。
根據外媒報導,在韓國官方協調下,三星電子勞資雙方預計本週重返談判桌。若工會啟動罷工行動,恐牽動全球記憶體市場供給。
根據KB證券預估,若三星罷工長期化,恐影響全球約3%至4%的DRAM供應,以及2%至3%的NAND快閃記憶體供給。此外,即便18天罷工結束後,相關生產線仍可能需要2至3週時間才能恢復正常運作。
三星與SK海力士、美光並列全球三大記憶體廠,近年已陸續將產能轉向用於AI加速器所需的HBM,進一步壓縮傳統記憶體供給。
資深分析師翁偉捷指出,後續仍須關注三星罷工持續時間,以及對供給面的影響。從三星記憶體布局來看,重心集中在HBM(高頻寬記憶體),但市場對本次罷工反應較大,影響可能外溢至DRAM,他說:『(原音)後續觀察的是罷工大概會延續多久,是否影響到供給狀況。不過,以現在目前三星的記憶體供給的狀況,應該比較重心會是在HBM這一塊,跟DRAM這一塊相關程度會比較低一些。那只是說市場上針對這次三星罷工的聯想會是比較大,那因為過去是覺得說HBM這一塊的需求有外溢到DRAM這一塊,那所以其實會有一些影響性。』
他也說,除了三星罷工為記憶體帶來短線題材,加上業者法說釋出正向展望,激勵台股記憶體族群11日走揚。不過,後續仍須觀察供需結構變化,以及記憶體報價漲勢能否延續。(編輯 : 廖奕婷)