台大物理團隊首創半導體檢測技術 成果登國際期刊

台灣半導體研究再有突破，台大物理系團隊首創「臨場剖面掃描顯微半導體檢測技術」，直接量測二維半導體電晶體電子傳輸行為，突破過去只能依賴理論模擬推估的限制，為次世代晶片微縮提供重要實驗依據，成果刊登於國際期刊「自然」(Nature)。

在國科會支持下，台大物理系教授邱雅萍團隊與台灣師範大學、新加坡國立大學合作，首創「臨場剖面掃描顯微半導體檢測技術」。團隊首次在二維半導體電晶體實際運作狀態下，以原子級解析度直接量測金屬與半導體接觸邊緣的電子轉移長度(transfer length)，突破過去仰賴理論模擬推估的限制，為次世代半導體元件微縮提供關鍵實驗依據。

邱雅萍指出，這項技術可驗證二維半導體支援次世代奈米製程的可行性，為後摩爾時代技術發展提供重要實驗依據；同時，可直接比較不同材料組合與接觸界面品質，降低研發成本，並縮短製程整合驗證時間。此外，技術已成功應用於絕緣層上矽(SOI)元件，未來可望發展為先進半導體元件的通用分析平台。

邱雅萍表示，研究直接量測二維電晶體電子傳輸長度，讓研究人員能以實驗取代理論推估，更精準分析不同材料組合及接觸界面品質。持續與產業合作，可望加速先進半導體技術發展。她說：『(原音)這項工作的關鍵意義，還有未來展望。這項工作直接驗證了二維電晶體的接觸工程，以及取代模擬探討不同接觸金屬跟半導體組合的直接數據，以及討論接觸界面的品質差異，以及直接用高解析度來看電子行為。』

國科會表示，研究由台灣團隊主導跨國合作，涵蓋檢測技術開發、量測方法建立及先進元件驗證，展現台灣在先進半導體關鍵量測技術的自主研發能力，也為二維半導體與次世代製程研究奠定重要基礎。(編輯：宋皖媛)