瑞銀：未來10年中國料難趕上ASML極紫外光微影技術

跨國投行瑞銀集團（UBS）分析師預估，中國半導體製造能力未來10年內可能仍難取得足夠進展，以開發出可替代荷蘭半導體設備廠艾司摩爾（ASML）尖端極紫外光（EUV）微影技術的可行方案。

綜合路透社、BigGo Finance的消息，瑞銀分析師的報告表示，中國目前的發展階段約相當於艾司摩爾2004年的水準。

北京一直向國內晶片產業投入國家資本，以實現自給自足，但美國主導的尖端晶片製造設備出口限制，阻礙了這一過程。

總部位於荷蘭的艾司摩爾是全球唯一生產先進微影機的廠商，這類設備對於製造先進半導體至關重要。

中國是艾司摩爾的主要市場之一，但這家晶片設備巨頭被禁止向中國出售極紫外光微影設備。

瑞銀分析師根據專利活動判斷，中國目前的技術成熟度，相當於艾司摩爾開始量產極紫外光微影設備的前15年階段。

雖說如此，瑞銀預計，中國將在2至5年內具備大規模製造浸潤式深紫外線（DUV）微影機的能力。雖然DUV不如極紫外系統先進，但仍是晶片製造的關鍵設備，透過光線將複雜的電路圖案印製在矽晶圓上。

路透社7月底曾引述消息人士證實中國開始生產國產DUV。（編輯：許嘉芫）