台積電攜艾司摩爾推12吋光罩 2030年導入High NA技術

台積電攜手艾司摩爾導入大尺寸High NA EUV光罩，將從現行6吋光罩轉移至更大的12吋光罩。台積電指出，這將有助提升晶圓廠生產力，並降低晶片製造成本，消除需要2張6吋光罩在High NA EUV曝光時進行拼接的限制，使整體半導體產業受惠，台積電預計2030年起導入High NA技術。

台積電8日發布新聞稿指出，台積電有意自2030年起，在先進製程量產中導入艾司摩爾的High NA技術。隨著製程技術持續推進，電晶體架構日益複雜，台積電預期需要使用High NA EUV曝光的光罩層數將隨之增加。

台積電董事長魏哲家表示，面對複雜的產業挑戰，需要產業共同合作，台積電期盼透過整合價值鏈專業能力、持續創新，降低先進技術應用門檻，並推動先進解決方案大規模普及。

艾司摩爾總裁暨執行長福克(Christophe Fouquet)表示，隨著元件微縮持續推進，High NA EUV採用率可望逐步提升，初期將沿用現行6吋光罩，後續導入12吋光罩以提升設備生產力，滿足市場對更小、更快及更節能晶片的需求。

艾司摩爾與台積電7日在美國加州蒙特雷舉行的BACUS國際光學工程學會(SPIE)先進微影技術研討會前宣布啟動產業合作，共同推動光罩升級至12吋，且根據規劃，將在2031年前建立12吋光罩試產線，為2033年12吋High NA微影系統導入先進製程量產奠定基礎，多家關鍵生態系夥伴及供應商已表達參與意願。(編輯：陳文蔚)