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高頻寬記憶體HBM供不應求 分析師:南韓、台灣將成關鍵生產基地

2024-10-29 11:48(12-22 01:40更新)
撰稿編輯:楊文君
隨著新一代AI晶片的推出,將使高頻寬記憶體(HBM)更供不應求。圖為AMD Fiji首款使用高頻寬記憶體技術的圖形處理器。(維基百科)
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隨著新一代AI晶片的推出,將使高頻寬記憶體(HBM)更供不應求。圖為AMD Fiji首款使用高頻寬記憶體技術的圖形處理器。(維基百科)

隨著輝達、AMD超微推出新一代AI晶片,對高頻寬記憶體(HBM)的需求將持續上升,分析師指出,記憶體大廠美光、SK海力士相繼宣布他們2025年以前的HBM產品都已售罄,顯示需求強勁,未來更進階的HBM4將與台積電合作,預料南韓、台灣將成關鍵生產基地。

工研院產科國際所(IEK)指出,根據科技研究顧問公司Gartner統計,2024年全球記憶體市場在去年低基期及減產下,成長率將高達77.3%,其中DRAM動態隨機存取記憶體市場回暖,尤其在高附加價值的高頻寬記憶體(HBM)產品崛起,產能比重提升,推動記憶體市場進一步成長。預估2024年HBM將占DRAM市場比重達19%。

工研院產科國際所半導體研究部產業分析師黃慧修指出,目前HBM產品已量產出8層HBM3E,堆疊技術更高的12層HBM3E則預計今年底、明年初量產;觀察全球三大記憶體大廠SK海力士、三星、美光的進度,SK海力士12層的預計今年底交貨、三星及美光還在樣品測試階段。

黃慧修提到,2024年美光、SK海力士相繼宣布他們2025年以前的HBM產品都已售罄,顯示市場因AI技術快速發展,雲端服務業者在AI伺服器對於AI晶片算力、記憶體容量、頻寬需求持續提升,對HBM需求相當強勁。

黃慧修表示,預期HBM3E將於2025年至2026年成為市場主流,SK海力士、三星生產地都在南韓,美光生產地則位於日本廣島及台灣台中廠,預料南韓、台灣將成關鍵生產基地。她說:『(原音)美光的部分HBM DRAM主要是在日本廣島廠生產,台灣的台中廠主要是在後段封裝的部分去做投入,未來隨著HBM需求慢慢提升,台灣也會增加前段晶圓DRAM產能,來去做需求大幅提升的因應。』

黃慧修強調,更進階的HBM4會由傳統記憶體製程轉向邏輯製程,製造將轉由晶圓廠及非記憶體廠負責,今年SK海力士、三星都強調將與台積電合作、採用台積電製程,未來記憶體廠與晶圓廠合作越趨重要。

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IEK 台積電 記憶體 HBM4 HBM3E
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