國科會繼去年底公布22項核心關鍵技術後，今天(1日)預告「國家核心關鍵技術項目及其技術主管機關」修正草案，預計新增10項技術項目，範圍涵蓋太空、量子科技、半導體及能源領域。

國科會指出，新增的十項為「可運送小衛星入軌之發射載具推進系統設計與製造技術」、「可運送小衛星入軌之發射載具飛行姿態判定與控制技術」、「量子位元設計與製程技術」、「低溫半導體晶片電路設計與製程」、「毫米波氮化鎵(GaN)功率放大器單晶微波積體電路之晶片設計技術」、「高頻功率放大器之氮化鎵(GaN)半導體製造技術」、「高電壓功率元件之碳化矽(SiC)半導體製造技術」、「人工智慧運算之高效能晶片設計技術」、「高頻寬密度小晶片互聯電路設計技術」、「二次電池芯-高能量密度及高循環壽命之單一電池芯設計、化學合成、製造技術」。

國科會補充，所謂關鍵技術定義，也就是若流入外國或境外敵對勢力，將重大損害國家安全、產業競爭力或經濟發展，且符合下列條件之一者，一是基於國際公約、國防需要或國家關鍵基礎設施安全防護考量，二是可促使我國產生領導型技術或大幅提升重要產業競爭力。

國科會表示，行政院已於2023年12月5日公告首波22項技術，涵蓋國防科技、太空、農業、半導體、資通安全等技術領域，加計本次新增10項，累計共32項，將保護國家重要技術，以符合全球產業趨勢與國內需求。

根據法令，若觸犯國家核心關鍵技術經濟間諜罪，違反者可處5年至12年有期徒刑、得併科新台幣500萬至1億元罰金。若觸犯國家核心關鍵技術營業秘密的域外使用罪，違反者處3年至10年有期徒刑、得併科500萬至5000萬元罰金，未遂行為一樣會罰。

國科會強調，考量本次修正內容為維護公共利益必要，有儘速施行必要；且為儘速加強保護我國重要技術營業秘密，將預告14日，預告期間自即日起至11月15日止。